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计算光刻
制造一颗先进节点的逻辑或存储芯片,往往需要经过晶圆准备、沉积、光刻、刻蚀、抛光、清洗、量测等上千道工序,且多次重复以上工序。其中,光刻工艺最为关键,其任务是利用光刻机将掩模版图以曝光成像方式转移至涂覆了光刻胶的硅晶圆上,它代表了集成电路芯片制造工艺的先进程度,直接决定了可制造的最小图形尺寸。目前,工业界广泛使用193 nm波长浸没式光刻机与13.5nm波长极紫外光刻机来制造28nm及以下先进节点的集成电路芯片...
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计算成像
传统光学成像系统是基于一种直接的物理映射机制:通过光学透镜的折射作用在传感器平面上清晰聚焦,从而在物方与像方之间建立起一种“点对点”的空间对应关系。该过程可视为对物体辐射强度在实空间中进行直接、均匀的采样与再现,属于一种“所见即所得”的成像范式。然而,该方式所获取的信息量受限于光学衍射极限、探测器离散采样特性及系统空间带宽积等物理约束,难以实现超越系统固有性能的成像能力。与之形成对比的是,计算...
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计算测量
测量技术从实现方式上可以大致分为无模型测量技术和基于模型的测量技术。无模型测量技术如传统光学显微镜,可以通过边缘识别算法直接从测得的图像中获取待测样品的几何尺寸。这种“所见即所得”的无模型测量技术的优点是简单、直观,但是在实际应用中往往存在一定的局限性。例如,由于受到光学衍射极限的限制,传统光学显微镜一般难以测量200 nm以下的结构特征。与无模型测量技术相比,基于模型的测量技术往往是基于某种物理场...
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