制造一颗先进节点的逻辑或存储芯片，往往需要经过晶圆准备、沉积、光刻、刻蚀、抛光、清洗、量测等上千道工序，且多次重复以上工序。其中，光刻工艺最为关键，其任务是利用光刻机将掩模版图以曝光成像方式转移至涂覆了光刻胶的硅晶圆上，它代表了集成电路芯片制造工艺的先进程度，直接决定了可制造的最小图形尺寸。目前，工业界广泛使用193 nm波长浸没式光刻机与13.5nm波长极紫外光刻机来制造28nm及以下先进节点的集成电路芯片...