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学术交流 | NOM研究组成员赴美国参加第62届美国真空学会年会

作者:时间:2015-10-25阅读量:
  

2015年10月18日至24日,NOM研究组刘世元教授和江浩副教授赴美国圣何塞参加了第62届美国真空学会年会(the AVS 62nd International Symposium and Exhibition)。会上,江浩副教授做了题为"Characterization of curved surface layer using Mueller matrix ellipsometry"的学术报告。刘世元教授以椭偏光谱大会程序委员会委员的身份出席了此次大会。

在报告中,江浩副教授介绍了NOM研究组利用穆勒矩阵椭偏仪在曲面薄膜表征上所取得的最新进展。该研究以国际阿伏加德罗协作组织(International Avogadro Coordination, IAC)承担的硅晶球测量需求为背景,重点分析了在曲面薄膜测量中平面假设以及实际测量点偏移对薄膜厚度测量准度和精度的影响;提出了充分考虑曲面几何特性,并利用穆勒矩阵椭偏仪所获取的各项异性光谱信息准确表征待测曲面薄膜光学特性,进而提高精度的一种测量方法;并通过实验证明该方法不仅可以显著提高硅球表面氧化层厚度的测量精度,而且可以同时测量硅球的曲率半径。该研究引起了与会者的广泛关注与兴趣。

美国真空学会年会是由美国真空学会主办的国际会议,会议覆盖了表面科学、生物材料、电子材料、制造科学与技术、纳米科学与技术、薄膜科学、测量与表征方法与技术等多个研究领域,吸引了来自世界各地专家、学者、和科研人员2千余人。会议期间,刘世元教授和江浩副教授与参会人员进行了广泛的交流,还应邀参观和访问了加州大学伯克利分校。


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