2016年2月20至2月26日，NOM研究组博士生谷洪刚、吕稳和柯贤华三人赴美国加州圣何塞市参加了国际光学工程学会（SPIE）主办的先进光刻国际会议（Advanced Lithography）。2016年的先进光刻国际会议内容涵盖了深紫外光刻技术、极紫外线(EUV)光刻技术、先进的光刻胶材料与应用工艺技术、光刻过程中的测量、检查和工艺控制技术等几个部分。

会议期间，谷洪刚同学以墙报形式展现了自己最新的研究“Optimal Design of Wide-view Angle Waveplate Used for Polarimetric Diagnosis of Lithography System”，论文主要关注于光刻系统偏振像差检测偏振光学元件的优化设计与性能研究，正好迎合了光刻技术中的偏振相差检测与控制等发展方向。吕稳和柯贤华同学同样以墙报的形式展现自己的研究成果“Native conflict Awared Layout Decomposition in Triple Patterning Lithography Using Bin-based Library Matching Method”，论文主要阐述了定位电路布局中固有冲突的一种库匹配方法。在海报展示期间，两位同学的研究都得到众多学术界和工业界的好评，以及SPIE组织的众多Fellow的认可。同参加会议的还有两位已毕业的NOM组成员，在德国夫琅禾费实验室的吴小飞同学和在美国伊诺诺伊大学的朱金龙同学。在会期间，NOM组新老成员进行了深刻的交流，并一同认识了一些学术同僚，为进一步沟通打下基础。