NOM研究组刘世元教授、张传维博士和陈修国博士生于2011年6月29日至7月2日，赴韩国大田参加了由国际测量委员会(ICMI)主办、韩国先进科学技术研究院(KAIST)承办的第10届测量技术与智能仪器国际研讨会(The 10th International Symposium on Measurement Technology and Intelligent Instruments, ISMTII 2011)。

在本届学术会议上，刘世元教授作了题为Model-Based Infrared Reflectrometry for Measurement of High Aspect-Ratio Through-Silicon Vias的特邀报告，介绍了NOM研究组近年来在计算测量领域内的若干研究进展及所取得的研究成果，重点阐述了基于模型的红外反射谱方法(Model-Based Infrared Reflectrometry)在三维芯片高深宽比硅通孔测量中的潜在应用，该研究报告由刘世元教授和张传维博士合作撰写。

陈修国博士生宣讲了研究论文Simulation Study of Mueller Matrix Polarimetry for LER and LWR Metrology，论文通过大量的仿真分析验证了穆勒矩阵偏振仪用于纳米结构线边粗糙度(LER)和线宽粗糙度(LWR)测量的可行性。

会后，刘世元教授一行三人与其他与会人员参观了KAIST实验室，KAIST取得的一系列研究成果给所有参观者都留下了极为深刻的印象。